코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 43 x 10 x 28,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 갭: 3C11, 유효 투과성 (µe): 83.00mm, 초기 투자율 (µi): TX 80 x 40 x 15,
코어 유형: EQ, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): EQ 38 x 8 x 25,
코어 유형: Toroid, 갭: 3C90, 유효 투과성 (µe): 37.15mm, 초기 투자율 (µi): TX 36 x 23 x 15,
코어 유형: ER, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ER 40 x 22 x 13,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 35 x 18 x 10,
코어 유형: ER, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±4%, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): ER 11 x 2.5 x 6,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 630nH, 공차: ±3%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): RM 12,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 13 x 7 x 4,
코어 유형: EQ, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): EQ 25,
코어 유형: ETD, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ETD 44 x 22 x 15,
코어 유형: E, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): E 38 x 8 x 25,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 갭: 3C90, 유효 투과성 (µe): 107.40mm, 초기 투자율 (µi): TX 107 x 65 x 18,
코어 유형: E, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): E 64 x 10 x 50,
코어 유형: PLT, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): PLT 30 x 20 x 3,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 58 x 11 x 38,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 16 x 12 x 5,
코어 유형: Toroid, 갭: 3C94, 유효 투과성 (µe): 107.00mm,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 16 x 8 x 5,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 125nH, 공차: ±3%, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 32 x 16 x 9,
코어 유형: PQ, 공차: ±25%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): PQ 50 x 50,
코어 유형: ETD, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): ETD 29 x 16 x 10,
코어 유형: ETD, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): ETD 29 x 16 x 10,
코어 유형: Toroid, 공차: ±20%, 유효 투과성 (µe): 83.00mm, 초기 투자율 (µi): TX 80 x 40 x 15,
코어 유형: EC, 갭: 3C91, 초기 투자율 (µi): EC 52 x 24 x 14,
코어 유형: Toroid, 갭: 3C90, 유효 투과성 (µe): 41.65mm, 초기 투자율 (µi): TX 40 x 24 x 16,
코어 유형: PLT, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): PLT 22 x 16 x 2.5,
코어 유형: ER, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ER 42 x 22 x 16,
코어 유형: E, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: ETD, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ETD 29 x 16 x 10,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 58 x 11 x 38,