코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: PQ, 공차: ±25%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): PQ 40 x 30,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 25 x 13 x 11,
코어 유형: ER, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ER 28 x 17 x 11,
코어 유형: PQ, 공차: ±25%, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): PQ 20 x 16,
코어 유형: Toroid, 갭: 4C65, 유효 투과성 (µe): 13.35mm, 초기 투자율 (µi): TX 13 x 7.9 x 6.4,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 32 x 16 x 9,
코어 유형: ER, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±7%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): ER 23 x 3.6 x 13,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 13 x 7 x 4,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 갭: 3C94, 유효 투과성 (µe): 102.40mm,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): RM 10 x 1,
코어 유형: ETD, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): ETD 34 x 17 x 11,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: ROD, 유효 투과성 (µe): 6.00mm, 초기 투자율 (µi): ROD 6 x 25,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 25 x 13 x 11,
코어 유형: RM, 공차: ±3%, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): RM 10 x 1,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 유효 투과성 (µe): 25.95mm, 초기 투자율 (µi): TX 25 x 15 x 10,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 58 x 11 x 38,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: ER, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ER 54 x 18 x 18,
코어 유형: RM, 공차: ±3%, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: EFD, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): EFD 25 x 13 x 9,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: PLT, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): PLT 14 x 5 x 1.5,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: ROD, 갭: 3C90, 유효 투과성 (µe): 8.00mm, 초기 투자율 (µi): ROD 8 x 50,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 47 x 20 x 16,
코어 유형: E, 갭: 3C91, 초기 투자율 (µi): E 56 x 24 x 19,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 16 x 8 x 5,
코어 유형: Toroid, 갭: 4C65, 유효 투과성 (µe): 83.00mm, 초기 투자율 (µi): TX 80 x 40 x 15,
코어 유형: EQ, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): EQ 38 x 8 x 25,
코어 유형: ETD, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): ETD 29 x 16 x 10,
코어 유형: ER, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): ER 41 x 7.6 x 32,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): RM 12,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 43 x 10 x 28,
