코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: ER, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): ER 18 x 3.2 x 10,
코어 유형: E, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): E 64 x 10 x 50,
코어 유형: Toroid, 갭: 3E27, 유효 투과성 (µe): 37.15mm, 초기 투자율 (µi): TX 36 x 23 x 10,
코어 유형: PLT, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): PLT 18 x 10 x 2,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 20,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): RM 4,
코어 유형: P (Pot Core), 갭: 3C91, 유효 투과성 (µe): 9.30mm, 초기 투자율 (µi): P 9 x 5,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 36 x 21 x 12,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 71 x 33 x 32,
코어 유형: PQ, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): PQ 50 x 30,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: Toroid, 공차: ±30%, 유효 투과성 (µe): 58.30mm,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: PQ, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): PQ 35 x 30,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 유효 투과성 (µe): 26.95mm, 초기 투자율 (µi): TX 26 x 15 x 20,
코어 유형: UR, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): UR 64 x 40 x 20,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): RM 12,
코어 유형: PQ, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): PQ 26 x 25,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 30 x 15 x 7,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 갭: 3C94, 유효 투과성 (µe): 13.35mm, 초기 투자율 (µi): TX 13 x 7.9 x 6.4,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 41 x 17 x 12,
코어 유형: EQ, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): EQ 25 x LP,
코어 유형: P, 인덕턴스 계수 (Al): 4.2µH, 공차: ±25%, 갭: 3C90, 유효 투과성 (µe): 22.00mm, 초기 투자율 (µi): P 22 x 13,
코어 유형: EP, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): EP 17,
코어 유형: RM, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): RM 12,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 20,
코어 유형: ETD, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): ETD 34 x 17 x 11,
코어 유형: EQ, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): EQ 25 x LP,
코어 유형: EFD, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): EFD 30 x 15 x 9,
코어 유형: PQ, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): PQ 40 x 30,
코어 유형: PLT, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): PLT 38 x 25 x 3.8,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 34 x 14 x 9,
코어 유형: ROD, 유효 투과성 (µe): 10.00mm, 초기 투자율 (µi): ROD 10 x 50,