코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 5.3µH, 공차: ±25%, 갭: 3C90, 유효 투과성 (µe): 25.50mm, 초기 투자율 (µi): P 26 x 16,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 56 x 24 x 19,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: U, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): U 15 x 11 x 6,
코어 유형: EQ, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): PLT 13 x 9 x 1,
코어 유형: E, 갭: 3C91, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 15,
코어 유형: UR, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): UR 55 x 38 x 36,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: Toroid, 갭: 3C90, 유효 투과성 (µe): 43.15mm, 초기 투자율 (µi): TX 42 x 26 x 18,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): RM 10 x 1,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 35 x 18 x 10,
코어 유형: PLT, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): PLT 58 x 38 x 4,
코어 유형: Toroid, 공차: ±20%, 갭: 3C94, 유효 투과성 (µe): 12.95mm, 초기 투자율 (µi): TX 13 x 7.1 x 4.8,
코어 유형: E, 초기 투자율 (µi): E 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: Toroid, 유효 투과성 (µe): 16.13mm, 초기 투자율 (µi): TX 16 x 9.1 x 4.7,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 갭: 3E27, 유효 투과성 (µe): 26.95mm, 초기 투자율 (µi): TX 26 x 15 x 20,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 유효 투과성 (µe): 43.15mm, 초기 투자율 (µi): TX 42 x 26 x 18,
코어 유형: ER, 인덕턴스 계수 (Al): 315nH, 공차: ±6%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): ER 23 x 3.6 x 13,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: EFD, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): EFD 20 x 10 x 7,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: PQ, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): PQ 32 x 25,
코어 유형: PLT, 초기 투자율 (µi): PLT 18 x 10 x 2,
코어 유형: E, 갭: 3C91, 초기 투자율 (µi): E 41 x 17 x 12,
코어 유형: PLT, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): PLT 38 x 25 x 3.8,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: PQ, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): PQ 32 x 15,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 43 x 10 x 28,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 25,
코어 유형: Toroid, 갭: 3E27,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 20,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 32 x 16 x 9,
