코어 유형: ER, 공차: ±3%, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): ER 23 x 3.6 x 13,
코어 유형: ETD, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ETD 39 x 20 x 13,
코어 유형: ER, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ER 48 x 21 x 21,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 38 x 8 x 25,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 20 x 10 x 6,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: 3C91, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: E, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): E 18 x 4 x 10,
코어 유형: EP, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): EP 13,
코어 유형: I, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): I 100 x 25 x 25,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 13 x 7 x 4,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 64 x 10 x 50,
코어 유형: EFD, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): EFD 20 x 10 x 7,
코어 유형: I, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): I 93 x 28 x 16,
코어 유형: ETD, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): ETD 34 x 17 x 11,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 20,
코어 유형: E, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: P (Pot Core), 갭: 3C91, 유효 투과성 (µe): 30.00mm, 초기 투자율 (µi): P 30 x 19,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 43 x 10 x 28,
코어 유형: RM, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: ER, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): ER 18 x 3.2 x 10,
코어 유형: Toroid, 갭: 3E27, 유효 투과성 (µe): 43.15mm, 초기 투자율 (µi): TX 42 x 26 x 13,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 64 x 10 x 50,
코어 유형: PQ, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): PQ 32 x 20,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): RM 7,
코어 유형: Toroid, 갭: 3C90, 유효 투과성 (µe): 63.00mm,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: PQ, 공차: ±25%, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): PQ 40 x 40,
코어 유형: PQ, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): PQ 32 x 30,
코어 유형: Toroid, 공차: ±30%, 유효 투과성 (µe): 43.15mm, 초기 투자율 (µi): TX 42 x 26 x 18,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 65 x 32 x 27,
코어 유형: ETD, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ETD 49 x 25 x 16,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 41 x 17 x 12,
코어 유형: E, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): E 43 x 10 x 28,
코어 유형: EC, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): EC 52 x 24 x 14,
