코어 유형: EFD, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): EFD 30 x 15 x 9,
코어 유형: Toroid, 공차: ±30%, 유효 투과성 (µe): 13.35mm, 초기 투자율 (µi): TX 13 x 7.9 x 6.4,
코어 유형: ETD, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): ETD 39 x 20 x 13,
코어 유형: Toroid, 공차: ±30%, 유효 투과성 (µe): 14.25mm, 초기 투자율 (µi): TX 14 x 9 x 5,
코어 유형: PLT, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): PLT 58 x 38 x 4,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 63nH, 공차: ±3%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): RM 4,
코어 유형: Toroid, 유효 투과성 (µe): 37.15mm, 초기 투자율 (µi): TX 36 x 23 x 10,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 15,
코어 유형: Toroid, 공차: ±30%, 유효 투과성 (µe): 43.15mm, 초기 투자율 (µi): TX 42 x 26 x 18,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 65 x 32 x 27,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 갭: 3E27, 유효 투과성 (µe): 58.30mm,
코어 유형: RM, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 38 x 8 x 25,
코어 유형: PQ, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): PQ 32 x 35,
코어 유형: RM, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): RM 10,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 18 x 4 x 10,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 25 x 13 x 7,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 13 x 6 x 6,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 42 x 33 x 20,
코어 유형: P, 인덕턴스 계수 (Al): 5.2µH, 공차: ±25%, 갭: 3C95, 유효 투과성 (µe): 22.00mm, 초기 투자율 (µi): P 22 x 13,
코어 유형: E, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: PLT, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): PLT 58 x 38 x 4,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): RM 12,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 유효 투과성 (µe): 57.50mm, 초기 투자율 (µi): TX 55 x 32 x 18,
코어 유형: PQ, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): PQ 20 x 20,
코어 유형: ER, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ER 35 x 21 x 11,
코어 유형: Toroid, 공차: ±30%, 유효 투과성 (µe): 57.50mm, 초기 투자율 (µi): TX 55 x 32 x 18,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 갭: 3C94, 유효 투과성 (µe): 63.00mm,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 20 x 10 x 5,
코어 유형: UR, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): UR 70 x 33 x 17,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 25 x 13 x 7,