코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 630nH, 공차: ±3%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): RM 10 x 1,
코어 유형: ETD, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): ETD 59 x 31 x 22,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): RM 7,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 21,
코어 유형: EQ, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): EQ 25,
코어 유형: ETD, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): ETD 54 x 28 x 19,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 64 x 10 x 50,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 18 x 4 x 10,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±3%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): RM 10 x 1,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 25 x 10 x 6,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3C91, 초기 투자율 (µi): RM 10 x 1,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 36 x 21 x 12,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 13 x 7 x 4,
코어 유형: E, 갭: 3C91, 초기 투자율 (µi): E 47 x 20 x 16,
코어 유형: EFD, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): EFD 30 x 15 x 9,
코어 유형: ETD, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): ETD 49 x 25 x 16,
코어 유형: E, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): E 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: PLT, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): PLT 22 x 16 x 2.5,
코어 유형: PLT, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): PLT 32 x 20 x 3.2,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 18 x 4 x 10,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 25,
코어 유형: PLT, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): PLT 20 x 14 x 2,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 19 x 8 x 9,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): RM 7,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 58 x 11 x 38,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 43 x 10 x 28,
코어 유형: ROD, 갭: 3C90, 유효 투과성 (µe): 4.00mm, 초기 투자율 (µi): ROD 4 x 25,
코어 유형: ER, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ER 42 x 22 x 15,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 32 x 16 x 9,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±3%, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 18 x 4 x 10,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 42 x 33 x 20,
코어 유형: ETD, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): ETD 34 x 17 x 11,
