코어 유형: RM, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: E, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): E 43 x 10 x 28,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 80 x 38 x 20,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 13 x 7 x 4,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 25,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 65 x 32 x 27,
코어 유형: ER, 공차: ±25%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): ER 11 x 2.5 x 6,
코어 유형: PLT, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): PLT 14 x 5 x 1.5,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): RM 10 x 1,
코어 유형: ER, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ER 35 x 21 x 11,
코어 유형: EP, 공차: ±25%, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): EP 17,
코어 유형: PLT, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): PLT 32 x 20 x 3.2,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 58 x 11 x 38,
코어 유형: ETD, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): ETD 39 x 20 x 13,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: ETD, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): ETD 34 x 17 x 11,
코어 유형: ETD, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): ETD 34 x 17 x 11,
코어 유형: EFD, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±8%, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): EFD 12 x 6 x 3.5,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 20 x 10 x 6,
코어 유형: PLT, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): PLT 14 x 5 x 1.5,
코어 유형: PQ, 공차: ±25%, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): PQ 50 x 30,
코어 유형: E, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): E 18 x 4 x 10,
코어 유형: ROD, 갭: 3C90, 유효 투과성 (µe): 10.00mm, 초기 투자율 (µi): ROD 10 x 40,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: EFD, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): EFD 25 x 13 x 9,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 19 x 8 x 5,
코어 유형: EQ, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): EQ 20,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): RM 12,
코어 유형: ER, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ER 28 x 17 x 11,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 25 x 13 x 11,
코어 유형: EFD, 공차: ±25%, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): EFD 15 x 8 x 5,
코어 유형: ER, 공차: ±25%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): ER 9.5 x 2.5 x 5,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 56 x 24 x 19,
코어 유형: ER, 공차: ±25%, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): ER 18 x 3.2 x 10,