코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 20 x 10 x 6,
코어 유형: ETD, 공차: -20%, +30%, 갭: N95, 초기 투자율 (µi): ETD 34/17/11,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 47.00mm, 초기 투자율 (µi): P 47 x 28,
코어 유형: E, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 100/60/28,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 10 x 5.5 x 5,
인덕턴스 계수 (Al): 2.4µH, 공차: -20%, +30%, 갭: M33, 유효 투과성 (µe): 30.50mm, 초기 투자율 (µi): P 30 x 19,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 2.8µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 14.30mm, 초기 투자율 (µi): P 14 x 8,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 25,
갭: N48, 유효 투과성 (µe): 22.00mm, 초기 투자율 (µi): P 22 x 13,
코어 유형: ETD, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): ETD 49 x 25 x 16,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 9.30mm, 초기 투자율 (µi): P 9 x 5,
코어 유형: EC, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): EC 35 x 17 x 10,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 15,
초기 투자율 (µi): ER14.5,
코어 유형: I, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): I 14 x 1.5 x 5,
코어 유형: ETD, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ETD 54 x 28 x 19,
코어 유형: EPX, 인덕턴스 계수 (Al): 2.5µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N45, 초기 투자율 (µi): EPX 7 x 9,
갭: N45, 유효 투과성 (µe): 11.30mm, 초기 투자율 (µi): P 11 x 7,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 34 x 14 x 9,
코어 유형: EFD, 갭: N95, 초기 투자율 (µi): EFD 20 x 10 x 7,
갭: N87, 유효 투과성 (µe): 18.40mm, 초기 투자율 (µi): P 18 x 11,
코어 유형: Multi-Hole (2), 인덕턴스 계수 (Al): 7.3µH, 공차: ±30%, 갭: N30,
코어 유형: I, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): I 25 x 3 x 15,
코어 유형: I, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): I 14 x 1.5 x 5,
코어 유형: Toroid, 공차: ±30%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): R 34.0 × 20.5 × 12.5,
코어 유형: ETD, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ETD 59 x 31 x 22,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 2.35µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): PQ 16 x 11.6,
코어 유형: Toroid,
코어 유형: EFD, 인덕턴스 계수 (Al): 370nH, 공차: -20%, +30%, 갭: PC200, 초기 투자율 (µi): EFD 15 x 8 x 5,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 1.3µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 9.30mm, 초기 투자율 (µi): P 9 x 5,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 21,
