코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 315nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: T57, 초기 투자율 (µi): EP 7,
코어 유형: E, 갭: N87,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 630nH, 공차: ±5%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 59 x 31 x 22,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 15,
코어 유형: E, 갭: T65, 초기 투자율 (µi): E 13 x 7 x 4,
코어 유형: EP, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): EP 7,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.85µH, 공차: ±30%, 갭: T65, 유효 투과성 (µe): 13.60mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 6.2µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 140.00mm, 초기 투자율 (µi): R 140 x 103 x 25,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 28µH, 공차: ±30%, 갭: T46, 유효 투과성 (µe): 39.40mm,
코어 유형: Toroid,
코어 유형: ER, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ER 35 x 20 x 11,
갭: N87,
코어 유형: U, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): U 141 x 78 x 30,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 21,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 2.9µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): RM 10,
코어 유형: EC, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): EC 52 x 24 x 14,
코어 유형: PM, 인덕턴스 계수 (Al): 630nH, 공차: ±3%, 갭: N27, 유효 투과성 (µe): 62.00mm, 초기 투자율 (µi): PM 62 x 49,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 3.45µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): PQ 32 x 30,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.76µH, 공차: ±30%, 갭: T46, 유효 투과성 (µe): 4.02mm,
코어 유형: EP, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EP 17,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 2.4µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EP 17,
코어 유형: EP, 갭: T35, 초기 투자율 (µi): EP 17,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 4.3µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N30, 초기 투자율 (µi): EP 17,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 10.8µH, 공차: -30%, +40%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): EP 17,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 13µH, 공차: -30%, +40%, 갭: T66, 초기 투자율 (µi): EP 17,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.12µH, 공차: ±25%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 12.50mm, 초기 투자율 (µi): R 12.5 x 7.5 x 5,
코어 유형: Toroid, 갭: N48,
코어 유형: ETD, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ETD 44 x 22 x 15,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 39 x 20 x 13,
