코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±7%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): EP 7,
코어 유형: ETD, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ETD 34 x 17 x 11,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 49 x 25 x 16,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 65 x 32 x 27,
코어 유형: EV, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EV 25 x 13 x 13,
코어 유형: RM,
코어 유형: Toroid, 갭: T35, 유효 투과성 (µe): 36.00mm, 초기 투자율 (µi): R 36 x 23 x 15,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 39 x 20 x 13,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 15,
코어 유형: ETD, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ETD 39 x 20 x 13,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 3.5µH, 공차: ±25%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 25.30mm, 초기 투자율 (µi): R 25.3 x 14.8 x 15,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 54 x 28 x 19,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 315nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 21,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.65µH, 공차: ±25%, 갭: T35, 유효 투과성 (µe): 14.00mm, 초기 투자율 (µi): R 14 x 9 x 5,
코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 4 LP,
코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 10,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 20,
코어 유형: EFD, 공차: ±12%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EFD 20 x 10 x 7,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 25 x 13 x 7,
코어 유형: RM, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: RM, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 315nH, 공차: ±6%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): EP 13,
