코어 유형: EFD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EFD 20 x 10 x 7,
코어 유형: EC, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): EC 35 x 17 x 10,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 13 x 7 x 4,
코어 유형: EQ, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): EQ 13 x 3,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 20 x 10 x 6,
코어 유형: ER, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): ER 18 x 3 x 10,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.94µH, 공차: ±25%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 37.50mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 4.16µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 21.20mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.42µH, 공차: ±25%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 17.20mm,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 2µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N30, 초기 투자율 (µi): EP 10,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 4.09µH, 공차: ±30%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 10.80mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 560nH, 공차: ±25%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 6.32mm,
코어 유형: I, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): I 18 x 2 x 10,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 16 x 8 x 5,
코어 유형: Multi-Hole (2), 인덕턴스 계수 (Al): 10µH, 공차: ±30%, 갭: N30,
코어 유형: I, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): I 18 x 2 x 10,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 10.7µH, 공차: ±30%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 26.60mm,
코어 유형: Multi-Hole (2), 인덕턴스 계수 (Al): 3.1µH, 공차: ±30%, 갭: N30,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 5.85µH, 공차: ±30%, 갭: T46, 유효 투과성 (µe): 5.86mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.76µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 10.80mm,
코어 유형: ELP, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ELP 32 x 6 x 20,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.53µH, 공차: ±30%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 6.32mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 700nH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 4.02mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 900nH, 공차: ±25%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 10.80mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.09µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 6.32mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 5.11µH, 공차: ±30%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 13.60mm,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 25 x 13 x 7,
코어 유형: ELP, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ELP 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.63µH, 공차: ±30%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 4.02mm,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E5,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 2.8µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 14.30mm, 초기 투자율 (µi): P 14 x 8,
코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 4,
