코어 유형: ELP, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): ELP 22 x 6 x 16,
코어 유형: ER, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): ER 32 x 5 x 21,
코어 유형: ER, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): ER 25 x 6 x 15,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.02µH, 공차: ±25%, 갭: N27, 유효 투과성 (µe): 13.60mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 4.46µH, 공차: ±25%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 51.80mm,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 315nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: I, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): I 43 x 4 x 28,
코어 유형: EFD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EFD 15 x 8 x 5,
코어 유형: I, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): I 25 x 3 x 15,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 5.2µH, 공차: -30%, +40%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): EP 7,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.19µH, 공차: ±25%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 16.80mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.13µH, 공차: ±25%, 갭: N49, 유효 투과성 (µe): 23.30mm,
코어 유형: ER, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): ER 23 x 5 x 13,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 63nH, 공차: ±3%, 갭: M33, 유효 투과성 (µe): 7.35mm, 초기 투자율 (µi): P 7 x 4,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 39 x 20 x 13,
코어 유형: I, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): I 18 x 2 x 10,
코어 유형: E, 갭: N30, 초기 투자율 (µi): E 20 x 10 x 6,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 630nH, 공차: ±5%, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 10,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: M33, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 2µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N30, 초기 투자율 (µi): EP 7,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 5.3µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 12,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.63µH, 공차: ±25%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 23.30mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 7.57µH, 공차: ±30%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 23.30mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.36µH, 공차: ±25%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 26.60mm,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 2µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 610nH, 공차: ±25%, 갭: N49, 유효 투과성 (µe): 10.80mm,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 7µH, 공차: -30%, +40%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): EP 13,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.61µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 23.30mm,
코어 유형: EFD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EFD 30 x 15 x 9,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 30 x 15 x 7,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.71µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 18.20mm,
코어 유형: ER, 공차: -20%, +30%, 갭: PC200, 초기 투자율 (µi): ER 11 x 5,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.77µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 17.20mm,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 63nH, 공차: ±3%, 갭: M33, 초기 투자율 (µi): RM 4,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 5µH, 공차: ±25%, 갭: T35, 유효 투과성 (µe): 21.20mm,
코어 유형: I, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): I 23 x 2 x 13,
