코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 5.63µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 31.00mm,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 2.2µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: I, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): I 22 x 2.5 x 16,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 34 x 17 x 11,
코어 유형: RM, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: I, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): I 18 x 2 x 10,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 6.5µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): PQ 32 x 20,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 25 x 13 x 7,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.34µH, 공차: ±25%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 23.30mm,
코어 유형: ER, 인덕턴스 계수 (Al): 800nH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ER 9.5 x 5,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 17.6µH, 공차: ±30%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 39.40mm,
코어 유형: I, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): I 18 x 2 x 10,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 6.2µH, 공차: -20%, +30%, 갭: T35, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 44 x 22 x 15,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±3%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: ER, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): ER 25 x 6 x 15,
코어 유형: I, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): I 23 x 2 x 13,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 8µH, 공차: ±25%, 갭: T37, 유효 투과성 (µe): 37.50mm,
코어 유형: I, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): I 43 x 4 x 28,
코어 유형: EFD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EFD 30 x 15 x 9,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 2.56µH, 공차: ±25%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 43.60mm,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.33µH, 공차: ±25%, 갭: N87, 유효 투과성 (µe): 13.60mm,
코어 유형: P (Pot Core), 갭: N22, 유효 투과성 (µe): 9.40mm, 초기 투자율 (µi): PCH 9.4 x 4.6,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 20,
코어 유형: ELP, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): ELP 32 x 6 x 20,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.13µH, 공차: ±25%, 갭: N49, 유효 투과성 (µe): 22.10mm, 초기 투자율 (µi): R 22.1 x 13.7 x 7.9,
코어 유형: Multi-Hole (2), 인덕턴스 계수 (Al): 190nH, 공차: ±30%, 갭: K1,
코어 유형: ETD, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ETD 29 x 16 x 10,
코어 유형: I, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): I 22 x 2.5 x 16,
코어 유형: I, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): I 32 x 3 x 20,
갭: N87,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 9.74µH, 공차: ±30%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 21.20mm,
