갭: PC200,
코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 29 x 16 x 10,
코어 유형: I, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): I 25 x 2,
코어 유형: RM, 공차: -20%, +30%, 갭: PC200, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: ETD, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): ETD 39 x 20 x 13,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 4.5µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): PQ 40 x 40,
코어 유형: ELP, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): ELP 18 x 4 x 10,
코어 유형: ELP, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ELP 18 x 4 x 10,
코어 유형: I, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): I 43 x 4 x 28,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 5.35µH, 공차: ±30%, 갭: T65, 유효 투과성 (µe): 26.60mm,
코어 유형: PQ, 인덕턴스 계수 (Al): 3.1µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): PQ 20 x 16,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 3.87µH, 공차: ±25%, 갭: T35, 유효 투과성 (µe): 16.00mm, 초기 투자율 (µi): R 16 x 9.6 x 6.3,
코어 유형: I, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): I 64 x 5 x 50,
코어 유형: ETD, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): ETD 44 x 22 x 15,
코어 유형: ELP, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): ELP 43 x 10 x 28,
코어 유형: EQ, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EQ 20 x 6,
코어 유형: ER, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): ER 32 x 5 x 21,
코어 유형: ETD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ETD 59 x 31 x 22,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 4µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EP 20,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 유효 투과성 (µe): 14.30mm, 초기 투자율 (µi): P 14 x 8,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 6.97µH, 공차: ±25%, 갭: T37, 유효 투과성 (µe): 26.60mm,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 4.8µH, 공차: -30%, +40%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): EP 10,
코어 유형: ETD, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): ETD 29 x 16 x 10,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 780nH, 공차: -20%, +30%, 갭: M33, 유효 투과성 (µe): 11.30mm, 초기 투자율 (µi): P 11 x 7,
코어 유형: E, 갭: N30, 초기 투자율 (µi): E 30 x 15 x 7,
코어 유형: I, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): I 22 x 2.5 x 16,
코어 유형: I, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): I 20 x 2,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 25 x 13 x 7,
코어 유형: ELP, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): ELP 18 x 4 x 10,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 21.3µH, 공차: ±30%, 갭: T38, 유효 투과성 (µe): 26.60mm,
코어 유형: EFD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EFD 30 x 15 x 9,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 4.1µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N41, 초기 투자율 (µi): RM 8,
