FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA,
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.98A, 3.36A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A, 2.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.6A, 6.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.8A, 6.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 510mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A, 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.63A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA, 310mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 540mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 100µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA, 200mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 530mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.34A, 1.14A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 4.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.03A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.2A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 9.4A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, 32 mOhm @ 8.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 360mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
