FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 550mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.34A (Ta), 1.14A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, 700 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.7A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA, 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 305mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A, 2.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, 6.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20.2 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel Complementary, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 4.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA, 450mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.8A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A, 3.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,
