FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 430mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20.2 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.11A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 300mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A, 6.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.7A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A, 3.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 5.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 4 N-Channel, FET 기능: Standard, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.8A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 550mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A, 32A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA,
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA, 680mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A, 4.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 2.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.2A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min),
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 8.7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,
