트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 저항기-베이스 (R1): 4.7 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 47 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms,
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 10 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 22 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 저항기-베이스 (R1): 4.7 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 4.7 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 저항기-베이스 (R1): 10 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 저항기-베이스 (R1): 4.7 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 10 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 47 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms,
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 22 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 470 Ohms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-이미 터베이스 (R2): 100 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 10 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 2.2 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V,
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 4.7 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 4.7 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 47 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 47 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 10 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-베이스 (R1): 4.7 kOhms, 저항기-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V,
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased, 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, 저항기-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms, DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,
