트랜지스터-양극 (BJT)-단일 | 디스크리트 반도체 제품 | 100

2SC2229-Y(T6ONK1FM

부품 재고: 6992

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 150V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP1,F,M

부품 재고: 6990

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 150V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SAN2,F,M

부품 재고: 7022

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 150V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP,F,M)

부품 재고: 7021

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 150V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT,F,M)

부품 재고: 6703

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 150V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT1,F,M

부품 재고: 6975

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 150V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SHP1FM

부품 재고: 7020

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 150V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(TE6,F,M)

부품 재고: 7022

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 150V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SAN2FM

부품 재고: 6954

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 150V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6MIT1FM

부품 재고: 6948

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 150V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP1,F,M

부품 재고: 6990

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 150V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP,F,M)

부품 재고: 6947

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 150V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MITIF,M)

부품 재고: 7035

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 150V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MIT1F,M)

부품 재고: 7005

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 150V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229(TE6SAN1F,M

부품 재고: 6999

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 150V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-O,PASF(M

부품 재고: 7004

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 80V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-Y,PASF(M

부품 재고: 6754

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 80V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(M

부품 재고: 6942

트랜지스터 유형: PNP, 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 100V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 10µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(J

부품 재고: 6995

트랜지스터 유형: PNP, 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 100V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 10µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6YMEF(M

부품 재고: 7000

트랜지스터 유형: PNP, 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 100V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 10µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1481(TOJS,Q,M)

부품 재고: 6996

트랜지스터 유형: PNP, 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 100V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 2µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6TOTOF(J

부품 재고: 6949

트랜지스터 유형: PNP, 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 100V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 10µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(TE6,F,M)

부품 재고: 6958

트랜지스터 유형: PNP, 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 100V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 10µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CNO,A,F)

부품 재고: 6947

트랜지스터 유형: PNP, 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 100V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 10µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1375,CLARIONF(M

부품 재고: 6980

트랜지스터 유형: PNP, 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 60V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 2A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 10µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CANO,F,M

부품 재고: 7012

트랜지스터 유형: PNP, 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 100V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 10µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6KOJPF(J

부품 재고: 6968

트랜지스터 유형: PNP, 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 120V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6F(J

부품 재고: 7012

트랜지스터 유형: PNP, 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 120V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,SWFF(M

부품 재고: 6956

트랜지스터 유형: PNP, 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 120V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,F(J

부품 재고: 6980

트랜지스터 유형: PNP, 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 120V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(T6CANO,FM

부품 재고: 6968

트랜지스터 유형: PNP, 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 120V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(F,M)

부품 재고: 7009

트랜지스터 유형: PNP, 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 120V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O,F(J

부품 재고: 6956

트랜지스터 유형: PNP, 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 120V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(M

부품 재고: 6969

트랜지스터 유형: PNP, 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 150V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

부품 재고: 7016

트랜지스터 유형: PNP, 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 120V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 100nA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2SC6017-E

부품 재고: 111005

트랜지스터 유형: NPN, 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 50V, Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A, 전류-콜렉터 컷오프 (최대): 10µA (ICBO), DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

위시리스트에게