유형: IGBT, 구성: 3 Phase Inverter, 흐름: 3A, 전압: 600V, 전압-절연: 1500Vrms, 패키지 / 케이스: 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm),
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 10A, 전압: 600V, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 15A, 전압: 600V, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),
유형: IGBT, 구성: 1 Phase, 흐름: 35A, 전압: 1.2kV, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: 18-PowerDIP Module (1.087", 27.60mm),
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 20A, 전압: 600V, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),
유형: IGBT, 구성: 3 Phase Inverter, 흐름: 20A, 전압: 600V, 전압-절연: 1500Vrms, 패키지 / 케이스: 26-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm),
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 14A, 전압: 600V, 전압-절연: 2500VDC, 패키지 / 케이스: 38-PowerDIP Module (1.146", 29.10mm),
유형: MOSFET, 구성: 3 Phase Inverter, 흐름: 2A, 전압: 500V, 전압-절연: 1000Vrms, 패키지 / 케이스: 26-PowerDIP Module (0.573", 14.50mm),
유형: IGBT, 구성: 3 Phase Inverter, 흐름: 15A, 전압: 1.2kV, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),
유형: MOSFET, 구성: 3 Phase, 흐름: 2A, 전압: 500V, 전압-절연: 1500Vrms, 패키지 / 케이스: 23-PowerDIP Module (0.644", 16.35mm),
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 53A, 전압: 600V, 전압-절연: 2000Vrms, 패키지 / 케이스: 28-PowerSIP Module, 23 Leads, Formed Leads,
유형: IGBT, 구성: 3 Phase Inverter, 흐름: 30A, 전압: 600V, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: 27-DIP Module,
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 15A, 전압: 600V, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 30A, 전압: 600V, 전압-절연: 2000Vrms, 패키지 / 케이스: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),
유형: MOSFET, 구성: 3 Phase, 흐름: 1.5A, 전압: 500V, 전압-절연: 1500Vrms, 패키지 / 케이스: 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm),
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 10A, 전압: 600V, 전압-절연: 2000Vrms, 패키지 / 케이스: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),
유형: MOSFET, 구성: 3 Phase, 흐름: 4.1A, 전압: 250V, 전압-절연: 1500Vrms, 패키지 / 케이스: 27-PowerLQFN Module,
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 8A, 전압: 600V, 전압-절연: 2000Vrms, 패키지 / 케이스: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 30A, 전압: 600V, 전압-절연: 2500VDC, 패키지 / 케이스: 38-PowerDIP Module (1.413", 35.90mm),
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 25A, 전압: 1.2kV, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: Power Module,
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 150A, 전압: 600V, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: Power Module,
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 200A, 전압: 600V, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: Power Module,
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 25A, 전압: 1.2kV, 전압-절연: 2500VDC, 패키지 / 케이스: 28-PowerDIP Module (1.882", 47.80mm),
유형: IGBT, 구성: 2 Phase, 흐름: 30A, 전압: 650V, 전압-절연: 2000Vrms, 패키지 / 케이스: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 15A, 전압: 600V, 전압-절연: 2000Vrms, 패키지 / 케이스: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads,
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 4A, 전압: 600V, 전압-절연: 2000Vrms, 패키지 / 케이스: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),
유형: IGBT, 구성: 3 Phase Inverter, 흐름: 30A, 전압: 650V, 전압-절연: 2000Vrms, 패키지 / 케이스: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),
유형: IGBT, 구성: 3 Phase, 흐름: 30A, 전압: 600V, 전압-절연: 2000Vrms, 패키지 / 케이스: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads,
유형: MOSFET, 구성: Half Bridge, 흐름: 240A, 전압: 1.2kV, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: Power Module,
유형: MOSFET, 구성: 3 Phase, 흐름: 80A, 전압: 1.2kV, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: Power Module,
유형: IGBT, 구성: Half Bridge, 흐름: 200A, 전압: 1.2kV, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: Power Module,
유형: MOSFET, 구성: Half Bridge, 흐름: 360A, 전압: 1.2kV, 전압-절연: 2500Vrms, 패키지 / 케이스: Power Module,