스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 860MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 256b (EPC), 기준: EPC, ISO 18000-6,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 860MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 96b (EPC), 기준: EPC, ISO 18000-6,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 860MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 128b (EPC), 기준: EPC, ISO 18000-6,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 860MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 96b (EPC), 기준: ISO 18000-6, EPC,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 144B (User), 기준: ISO 14443,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 384b (User), 기준: ISO 14443,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 기준: ISO 15693, ISO 18000-3,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 896b (User), 기준: ISO 15693, ISO 18000-3,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 2048b (User), 기준: ISO 15693, ISO 18000-3,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 16kb (User), 기준: ISO 14443,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 32kb (User), 기준: ISO 14443,
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 125kHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 2kb (User),
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 100kHz ~ 150kHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 363b (User), 기준: ISO 11784, ISO 11785,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 4kb (User), 기준: ISO 14443,