코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 36 x 21 x 12,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 13 x 6 x 6,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: EPX, 공차: ±25%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): EPX 10,
코어 유형: EFD, 공차: ±25%, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): EFD 10 x 5 x 3,
코어 유형: RM, 공차: ±3%, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: PLT, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): PLT 18 x 10 x 2,
코어 유형: Toroid, 공차: ±30%, 갭: 4C65, 유효 투과성 (µe): 20.25mm, 초기 투자율 (µi): TX 20 x 10 x 7,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 25 x 13 x 7,
코어 유형: EQ, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): PLT 13 x 9 x 1,
코어 유형: ETD, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): ETD 44 x 22 x 15,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 15,
코어 유형: ETD, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): ETD 39 x 20 x 13,
코어 유형: Toroid, 갭: 3C11, 유효 투과성 (µe): 102.00mm,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 71 x 33 x 32,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 21,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 38 x 8 x 25,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 16 x 8 x 5,
코어 유형: PQ, 공차: ±25%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): PQ 32 x 20,
코어 유형: ROD, 갭: 3C90, 유효 투과성 (µe): 5.00mm, 초기 투자율 (µi): ROD 5 x 25,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 34 x 14 x 9,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 갭: 3E27, 유효 투과성 (µe): 25.95mm, 초기 투자율 (µi): TX 25 x 15 x 13,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 1µH, 공차: ±3%, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): RM 12,
코어 유형: ROD, 갭: 3C90, 유효 투과성 (µe): 8.00mm, 초기 투자율 (µi): ROD 8 x 25,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 19 x 8 x 5,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): PLT 32 x 20 x 3.2,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 2.35µH, 공차: ±25%, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 35 x 18 x 10,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 갭: 3E27, 유효 투과성 (µe): 63.00mm,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 25 x 10 x 6,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 47 x 20 x 16,
코어 유형: EP, 공차: ±25%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): EP 5,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 630nH, 공차: ±3%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): RM 14,
