코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: E, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: ER, 공차: ±25%, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): ER 11 x 2.5 x 6,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): RM 7,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 65 x 32 x 27,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 16 x 8 x 5,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 20 x 10 x 6,
코어 유형: P, 인덕턴스 계수 (Al): 1.4µH, 공차: ±25%, 갭: 3F46, 유효 투과성 (µe): 18.40mm, 초기 투자율 (µi): P 18 x 11,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 16 x 12 x 5,
코어 유형: PLT, 초기 투자율 (µi): PLT 22 x 16 x 2.5,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 25,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: E, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: ER, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ER 40 x 22 x 13,
코어 유형: PLT, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): PLT 22 x 16 x 2.5,
코어 유형: E, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): E 38 x 8 x 25,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 65 x 32 x 27,
코어 유형: ER, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ER 35 x 21 x 11,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): RM 12,
코어 유형: ROD, 유효 투과성 (µe): 12.00mm, 초기 투자율 (µi): ROD 12 x 40,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 38 x 8 x 25,
코어 유형: I, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): I 25 x 6 x 6,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 30 x 15 x 7,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 64 x 10 x 50,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): RM 4,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 25 x 13 x 7,
코어 유형: EP, 공차: ±25%, 갭: 3C91, 초기 투자율 (µi): EP 20,
코어 유형: ER, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±5%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): ER 9.5 x 2.5 x 5,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 630nH, 공차: ±3%, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): RM 10 x 1,
코어 유형: ETD, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): ETD 49 x 25 x 16,
코어 유형: EFD, 공차: ±25%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): EFD 15 x 8 x 5,
코어 유형: ETD, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ETD 59 x 31 x 22,
코어 유형: Toroid, 공차: ±30%, 유효 투과성 (µe): 22.35mm, 초기 투자율 (µi): TX 22 x 14 x 13,
코어 유형: PLT, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): PLT 18 x 10 x 2,
