코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: EP, 공차: ±25%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): EP 7,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 32 x 16 x 9,
코어 유형: ETD, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): ETD 54 x 28 x 19,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 30 x 15 x 7,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 38 x 8 x 25,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 갭: 3E27, 유효 투과성 (µe): 59.80mm, 초기 투자율 (µi): TX 58 x 41 x 18,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 20 x 10 x 6,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 15,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: ETD, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): ETD 49 x 25 x 16,
코어 유형: E, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): E 64 x 10 x 50,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 25 x 10 x 6,
코어 유형: E, 갭: 3C91, 초기 투자율 (µi): E 55 x 28 x 21,
코어 유형: ER, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): ER 18 x 3.2 x 10,
코어 유형: EFD, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±8%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): EFD 12 x 6 x 3.5,
코어 유형: ER, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ER 42 x 22 x 15,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 16 x 8 x 5,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 64 x 10 x 50,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 630nH, 공차: ±3%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): RM 10 x 1,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 20,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): RM 12,
코어 유형: PQ, 공차: ±25%, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): PQ 40 x 30,
코어 유형: ETD, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): ETD 29 x 16 x 10,
코어 유형: ROD, 유효 투과성 (µe): 10.00mm, 초기 투자율 (µi): ROD 10 x 245,
코어 유형: EFD, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): EFD 25 x 13 x 9,
코어 유형: E, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): E 58 x 11 x 38,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 64 x 10 x 50,
코어 유형: PQ, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): PQ 40 x 40,
코어 유형: E, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 41 x 17 x 12,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 42 x 33 x 20,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): RM 10 x 1,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 56 x 24 x 19,
