코어 유형: ER, 공차: ±5%, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): ER 23 x 3.6 x 13,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 42 x 21 x 15,
코어 유형: U, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): U 93 x 52 x 30,
코어 유형: EFD, 인덕턴스 계수 (Al): 63nH, 공차: ±5%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): EFD 12 x 6 x 3.5,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 19 x 8 x 9,
코어 유형: EP, 공차: ±25%, 갭: 3C91, 초기 투자율 (µi): EP 10,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±3%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): RM 12,
코어 유형: P (Pot Core), 인덕턴스 계수 (Al): 4µH, 공차: ±25%, 유효 투과성 (µe): 18.40mm, 초기 투자율 (µi): P 18 x 11,
코어 유형: PQ, 공차: ±25%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): PQ 50 x 30,
코어 유형: PLT, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): PLT 14 x 5 x 1.5,
코어 유형: EFD, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): EFD 30 x 15 x 9,
코어 유형: ER, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): ER 41 x 7.6 x 32,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: Toroid, 갭: 3E27, 유효 투과성 (µe): 63.00mm,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 64 x 10 x 50,
코어 유형: ER, 공차: ±25%, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): ER 14.5 x 3 x 7,
코어 유형: E, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: ETD, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): ETD 49 x 25 x 16,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 43 x 10 x 28,
코어 유형: ROD, 갭: 3C90, 유효 투과성 (µe): 10.00mm, 초기 투자율 (µi): ROD 10 x 50,
코어 유형: EFD, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): EFD 20 x 10 x 7,
코어 유형: ROD, 유효 투과성 (µe): 5.00mm, 초기 투자율 (µi): ROD 5 x 25,
코어 유형: PQ, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): PQ 50 x 50,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 41 x 17 x 12,
코어 유형: Toroid, 갭: 3C90, 유효 투과성 (µe): 58.30mm,
코어 유형: ETD, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): ETD 54 x 28 x 19,
코어 유형: EQ, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): EQ 20,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±3%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: E, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): E 43 x 10 x 28,
코어 유형: PLT, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): PLT 30 x 20 x 3,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 유효 투과성 (µe): 29.95mm, 초기 투자율 (µi): TX 29 x 19 x 15,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 43 x 10 x 28,
코어 유형: ETD, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): ETD 49 x 25 x 16,
