코어 유형: ETD, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): ETD 59 x 31 x 22,
코어 유형: P, 인덕턴스 계수 (Al): 1µH, 공차: ±25%, 갭: 3F46, 유효 투과성 (µe): 14.05mm, 초기 투자율 (µi): P 14 x 8,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: RM, 공차: ±25%, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): RM 14,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 64 x 10 x 50,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 43 x 10 x 28,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 71 x 33 x 32,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 56 x 24 x 19,
코어 유형: E, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): E 58 x 11 x 38,
코어 유형: ER, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): ER 28 x 14 x 11,
코어 유형: E, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: E, 갭: 3F4, 초기 투자율 (µi): E 64 x 10 x 50,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 100 x 60 x 28,
코어 유형: PQ, 공차: ±25%, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): PQ 32 x 35,
코어 유형: E, 갭: 3C97, 초기 투자율 (µi): E 64 x 10 x 50,
코어 유형: EFD, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): EFD 25 x 13 x 9,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 19 x 8 x 9,
코어 유형: EFD, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): EFD 30 x 15 x 9,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 630nH, 공차: ±3%, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): RM 10 x 1,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 32 x 6 x 20,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: 3F46, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): RM 7,
코어 유형: ER, 갭: 3C92, 초기 투자율 (µi): ER 23 x 3.6 x 13,
코어 유형: ROD, 갭: 3C90, 유효 투과성 (µe): 8.00mm, 초기 투자율 (µi): ROD 8 x 150,
코어 유형: EFD, 갭: 3C90, 초기 투자율 (µi): EFD 20 x 10 x 7,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 22 x 6 x 16,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 32 x 16 x 9,
코어 유형: E, 초기 투자율 (µi): E 14 x 3.5 x 5,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 갭: 3E27, 유효 투과성 (µe): 102.00mm,
코어 유형: E, 갭: 3F36, 초기 투자율 (µi): E 58 x 11 x 38,
코어 유형: E, 갭: 3C94, 초기 투자율 (µi): E 65 x 32 x 27,
코어 유형: EFD, 인덕턴스 계수 (Al): 63nH, 공차: ±5%, 갭: 3C95, 초기 투자율 (µi): EFD 12 x 6 x 3.5,
코어 유형: Toroid, 갭: 3C90, 유효 투과성 (µe): 140.40mm, 초기 투자율 (µi): TX 140 x 106 x 25,
코어 유형: E, 갭: 3C96, 초기 투자율 (µi): E 43 x 10 x 28,
코어 유형: Toroid, 공차: ±25%, 갭: 3C11, 유효 투과성 (µe): 83.00mm, 초기 투자율 (µi): TX 80 x 40 x 15,