코어 유형: ER, 인덕턴스 계수 (Al): 900nH, 공차: -20%, +30%, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): ER 11 x 5,
코어 유형: ER, 갭: K1, 초기 투자율 (µi): ER 11 x 5,
코어 유형: ER, 인덕턴스 계수 (Al): 400nH, 공차: ±10%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ER 9.5 x 5,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: N45, 초기 투자율 (µi): EP 13,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 2.5µH, 공차: -20%, +30%, 갭: T57, 초기 투자율 (µi): EP 13,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): EP 13,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 63nH, 공차: ±3%, 갭: M33, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: EP, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EP 13,
코어 유형: Toroid, 갭: N30,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: RM,
코어 유형: EP, 갭: T35, 초기 투자율 (µi): EP 13,
코어 유형: Toroid, 인덕턴스 계수 (Al): 1.68µH, 공차: ±25%, 갭: N30, 유효 투과성 (µe): 5.86mm,
코어 유형: EP, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): EP 13,
코어 유형: E, 공차: -20%, +30%, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): E 8 x 8,
코어 유형: Toroid, 갭: T65,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: M33, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 25nH, 공차: ±3%, 갭: K1, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: I, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): I 23 x 2 x 13,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: T57, 초기 투자율 (µi): EP 13,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 200nH, 공차: ±4%, 갭: T57, 초기 투자율 (µi): EP 13,
코어 유형: Toroid, 갭: T38,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 2.4µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N45, 초기 투자율 (µi): EP 13,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 2.8µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N30, 초기 투자율 (µi): EP 13,
코어 유형: E, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): E 8 x 8,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 40nH, 공차: ±3%, 갭: K1, 초기 투자율 (µi): RM 5,
코어 유형: ER, 갭: N97, 초기 투자율 (µi): ER 23 x 5 x 13,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±5%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EP 13,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±4%, 갭: T57, 초기 투자율 (µi): EP 13,
코어 유형: EP, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±5%, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): EP 13,
