코어 유형: RM, 갭: T38, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: RM, 갭: N45, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: ELP, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): ELP 18 x 4 x 10,
코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 160nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 6 LP,
코어 유형: E, 갭: T46, 초기 투자율 (µi): E 13 x 7 x 4,
코어 유형: I, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): I 18 x 2 x 10,
코어 유형: E, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): E 13 x 7 x 4,
코어 유형: I, 인덕턴스 계수 (Al): 2.3µH, 공차: ±25%, 갭: N92, 초기 투자율 (µi): I 18 x 2 x 10,
코어 유형: I, 인덕턴스 계수 (Al): 2.9µH, 공차: ±25%, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): I 18 x 2 x 10,
코어 유형: ER, 갭: N27, 초기 투자율 (µi): ER 46 x 17 x 18,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 100nH, 공차: ±3%, 갭: M33, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: RM, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): RM 7 LP,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 2.4µH, 공차: -20%, +30%, 갭: N49, 초기 투자율 (µi): RM 7 LP,
코어 유형: EFD, 갭: N87, 초기 투자율 (µi): EFD 20 x 10 x 7,
코어 유형: EQ, 갭: N95, 초기 투자율 (µi): EQ 30 x 8,
코어 유형: RM, 갭: N30, 초기 투자율 (µi): RM 6,
코어 유형: RM,
코어 유형: Toroid,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 250nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 8,
코어 유형: RM, 인덕턴스 계수 (Al): 315nH, 공차: ±3%, 갭: N48, 초기 투자율 (µi): RM 8,
