트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 | 디스크리트 반도체 제품 | 100

IRF7317TRPBF

부품 재고: 158547

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, 5.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA,

위시리스트에게

Infineon Technologies

IRFHS9351TRPBF

부품 재고: 112687

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 10µA,

위시리스트에게

Infineon Technologies

IRF7910TRPBF

부품 재고: 127888

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA,

위시리스트에게

Infineon Technologies

IRL6297SDTRPBF

부품 재고: 142257

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 35µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SQJB40EP-T1_GE3

부품 재고: 152466

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SQJ963EP-T1_GE3

부품 재고: 91401

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI7972DP-T1-GE3

부품 재고: 149146

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SQJQ910EL-T1_GE3

부품 재고: 2597

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI7949DP-T1-E3

부품 재고: 39374

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SQJB00EP-T1_GE3

부품 재고: 152443

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI4900DY-T1-E3

부품 재고: 142035

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SQJQ980EL-T1_GE3

부품 재고: 2601

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SIZF906ADT-T1-GE3

부품 재고: 2533

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SI4214DDY-T1-E3

부품 재고: 188973

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게

Vishay Siliconix

SQJB80EP-T1_GE3

부품 재고: 152485

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,

위시리스트에게

Nexperia USA Inc.

PMDXB950UPEZ

부품 재고: 193079

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA,

위시리스트에게

Nexperia USA Inc.

PMDT290UNE,115

부품 재고: 177961

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA,

위시리스트에게

Nexperia USA Inc.

PMDPB70XPE,115

부품 재고: 137499

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 79 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA,

위시리스트에게

Nexperia USA Inc.

NX3008PBKV,115

부품 재고: 177076

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA,

위시리스트에게

Rohm Semiconductor

QS6K21TR

부품 재고: 129283

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA,

위시리스트에게

Rohm Semiconductor

EM6M2T2R

부품 재고: 127455

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 200mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8223-H,LQ(S

부품 재고: 150969

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 100µA,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N44FE,LM

부품 재고: 105414

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFE,LM

부품 재고: 179839

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 250µA,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L39TU,LF

부품 재고: 111677

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 143 mOhm @ 600MA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,

위시리스트에게

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N37FU,LF

부품 재고: 156819

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 1.5V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

NTHD4102PT1G

부품 재고: 108053

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

FDMB3800N

부품 재고: 191355

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

FDS6890A

부품 재고: 101115

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

FDY1002PZ

부품 재고: 182634

FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 830mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 830mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

FDMA1032CZ

부품 재고: 89328

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A, 3.1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

FDME1034CZT

부품 재고: 154682

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A, 2.6A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게

ON Semiconductor

FDY3000NZ

부품 재고: 111326

FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA,

위시리스트에게

Diodes Incorporated

DMC2400UV-7

부품 재고: 138188

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.03A, 700mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA,

위시리스트에게

Diodes Incorporated

DMG1016V-7

부품 재고: 107374

FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 870mA, 640mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,

위시리스트에게

Diodes Incorporated

DMG5802LFX-7

부품 재고: 173089

FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA,

위시리스트에게