트랜지스터 유형: NPN, N-Channel, 응용: CCD Output Circuits, 전압-정격: 20V NPN, 40V N-Channel, 현재 등급: 50mA NPN, 10mA N-Channel, 장착 유형: Surface Mount, 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666,
트랜지스터 유형: PNP Pre-Biased, N-Channel, 응용: General Purpose, 전압-정격: 50V PNP, 30V N Channel, 현재 등급: 100mA PNP, 100mA N-Channel, 장착 유형: Surface Mount, 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363,
트랜지스터 유형: PNP, N-Channel, 응용: General Purpose, 전압-정격: 12V PNP, 30V N Channel, 현재 등급: 500mA PNP, 100mA N Channel, 장착 유형: Surface Mount, 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666,
트랜지스터 유형: NPN, N-Channel Gate-Drain, Source Clamp, 응용: General Purpose, 전압-정격: 65V, 현재 등급: 1A, 장착 유형: Surface Mount, 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63,
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), 전압-정격: 50V, 현재 등급: 100mA, 장착 유형: Surface Mount, 패키지 / 케이스: SOT-553,
트랜지스터 유형: NPN + Base-Emitter Diode, 응용: Gate Driver, 전압-정격: 40V, 현재 등급: 1A, 장착 유형: Surface Mount, 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3,
장착 유형: Surface Mount, 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width),
트랜지스터 유형: NPN - Emitter Switched Bipolar, 응용: Gate Driver, 전압-정격: 1700V (1.7kV), 현재 등급: 3A, 장착 유형: Through Hole, 패키지 / 케이스: TO-247-4,
트랜지스터 유형: NPN - Emitter Switched Bipolar, 응용: Gate Driver, 전압-정격: 900V, 현재 등급: 12A, 장착 유형: Through Hole, 패키지 / 케이스: TO-220-4 Full Pack,
트랜지스터 유형: NPN - Emitter Switched Bipolar, 응용: Gate Driver, 전압-정격: 1200V (1.2kV), 현재 등급: 8A, 장착 유형: Through Hole, 패키지 / 케이스: TO-220-4 Full Pack,
트랜지스터 유형: NPN - Emitter Switched Bipolar, 응용: Gate Driver, 전압-정격: 1700V (1.7kV), 현재 등급: 4A, 장착 유형: Through Hole, 패키지 / 케이스: TO-247-4,
트랜지스터 유형: P-Channel, 응용: Microphone, 전압-정격: 6V, 현재 등급: 17mA, 장착 유형: Surface Mount, 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads,
트랜지스터 유형: PNP, N-Channel, 응용: General Purpose, 전압-정격: 40V PNP, 60V N-Channel, 현재 등급: 600mA PNP, 115mA N-Channel, 장착 유형: Surface Mount, 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363,
