트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 주파수-전환: 700MHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz, 이득: 20dB ~ 24dB, 전력-최대: 250mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 25V, 주파수-전환: 650MHz, 전력-최대: 225mW,
트랜지스터 유형: PNP, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 20V, 주파수-전환: 600MHz, 전력-최대: 225mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 8V, 주파수-전환: 16GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, 이득: 17.5dB, 전력-최대: 400mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 20V, 주파수-전환: 600MHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, 전력-최대: 250mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V, 주파수-전환: 800MHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, 이득: 24dB, 전력-최대: 350mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 25V, 주파수-전환: 800MHz, 전력-최대: 225mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V, 주파수-전환: 1.1GHz, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V, 주파수-전환: 1.1GHz, 전력-최대: 400mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 2GHz, 전력-최대: 200mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 2GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, 이득: 15dB, 전력-최대: 350mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 25V, 주파수-전환: 650MHz, 전력-최대: 350mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 40V, 주파수-전환: 500MHz, 전력-최대: 225mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 10V, 주파수-전환: 10GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, 이득: 9dB, 전력-최대: 200mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 10V, 주파수-전환: 9GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz, 이득: 13.5dB, 전력-최대: 200mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 3.3V, 주파수-전환: 15GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, 이득: 14dB, 전력-최대: 190mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 6V, 주파수-전환: 14GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.6dB @ 2GHz, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 6V, 주파수-전환: 12GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, 이득: 11dB, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 6V, 주파수-전환: 12GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz, 전력-최대: 130mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 10V, 주파수-전환: 7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 1.6dB @ 1GHz ~ 2GHz, 이득: 9dB ~ 13.5dB, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 10V, 주파수-전환: 7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz, 전력-최대: 140mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V, 주파수-전환: 2GHz, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 3V, 주파수-전환: 14GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz, 전력-최대: 90mW,
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual), 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 10V, 주파수-전환: 7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, 이득: 12dB, 전력-최대: 200mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 10V, 주파수-전환: 9GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, 이득: 14dB, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: 5 NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 8GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual), 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 9V, 주파수-전환: 8.5GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz,
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual), 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 9V, 주파수-전환: 7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 5.2dB @ 900MHz,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V, 주파수-전환: 1.3GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz, 이득: 53dB, 전력-최대: 350mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 2GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, 이득: 15dB, 전력-최대: 330mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 10V, 주파수-전환: 8.5GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz, 전력-최대: 270mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 18V, 이득: 13dB, 전력-최대: 270W,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 16V, 주파수-전환: 870MHz, 이득: 8dB ~ 9.5dB, 전력-최대: 2.2W,
