트랜지스터-FET, MOSFET-단일

2SJ438(AISIN,A,Q)

부품 재고: 2215

위시리스트에게

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 2.5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 2.5V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2SJ661-1EX

부품 재고: 2203

구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2SJ652-1EX

부품 재고: 2120

구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2SK3816-DL-1EX

부품 재고: 2164

구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2SK3703-1EX

부품 재고: 2124

구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2SJ661-DL-1EX

부품 재고: 2140

구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2SK4125-1EX

부품 재고: 2103

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2SK4098FS

부품 재고: 2085

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2SK4125-1E

부품 재고: 6248

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2SK536-MTK-TB-E

부품 재고: 198740

구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2SK4099LS-1E

부품 재고: 1876

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 4A, 10V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2SK4124-1E

부품 재고: 6267

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2SK4087LS-1E

부품 재고: 1869

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2SK4088LS-1E

부품 재고: 1874

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 5.5A, 10V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2SK4066-DL-1E

부품 재고: 1810

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2SK4085LS-1E

부품 재고: 1812

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2SK4066-1E

부품 재고: 1849

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2SK3820-DL-1E

부품 재고: 1839

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 13A, 10V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2SK4065-DL-1E

부품 재고: 1813

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2SK3748-1E

부품 재고: 10717

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2SK3816-DL-1E

부품 재고: 1843

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2N7002WST1G

부품 재고: 1836

구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,

위시리스트에게

ON Semiconductor

2SK3707-1E

부품 재고: 1889

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 10A, 10V,

위시리스트에게

Panasonic Electronic Components

2SK3064G0L

부품 재고: 2106

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 5V,

위시리스트에게

Central Semiconductor Corp

2N7002 BK

부품 재고: 163082

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

위시리스트에게

Renesas Electronics America

2SK3431-Z-E1-AZ

부품 재고: 1978

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 83A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 42A, 10V,

위시리스트에게

Renesas Electronics America

2SK3431-AZ

부품 재고: 1997

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 83A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 42A, 10V,

위시리스트에게

Renesas Electronics America

2SK3430-Z-E1-AZ

부품 재고: 1915

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 40A, 10V,

위시리스트에게

Renesas Electronics America

2SK1518-E

부품 재고: 1995

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 10A, 10V,

위시리스트에게