다이오드-제너-단일 | 디스크리트 반도체 제품 | 90

BZD27C7V5P MTG

부품 재고: 5393

전압-제너 (공칭) (Vz): 7.45V, 공차: ±6.04%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 2 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C6V8P RTG

부품 재고: 6773

전압-제너 (공칭) (Vz): 6.8V, 공차: ±5.88%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C6V8P MTG

부품 재고: 6829

전압-제너 (공칭) (Vz): 6.8V, 공차: ±5.88%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C6V8P RQG

부품 재고: 6835

전압-제너 (공칭) (Vz): 6.8V, 공차: ±5.88%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C10P RTG

부품 재고: 6788

전압-제너 (공칭) (Vz): 10V, 공차: ±6%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 7µA @ 7.5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C10P MTG

부품 재고: 6852

전압-제너 (공칭) (Vz): 10V, 공차: ±6%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 7µA @ 7.5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C10P RQG

부품 재고: 6802

전압-제너 (공칭) (Vz): 10V, 공차: ±6%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 7µA @ 7.5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C9V1P MHG

부품 재고: 6822

전압-제너 (공칭) (Vz): 9.05V, 공차: ±6.07%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C10P MQG

부품 재고: 6779

전압-제너 (공칭) (Vz): 10V, 공차: ±6%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 7µA @ 7.5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C8V2P MHG

부품 재고: 6821

전압-제너 (공칭) (Vz): 8.2V, 공차: ±6.09%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 2 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C7V5P MHG

부품 재고: 6776

전압-제너 (공칭) (Vz): 7.45V, 공차: ±6.04%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 2 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C8V2P M2G

부품 재고: 3688

전압-제너 (공칭) (Vz): 8.2V, 공차: ±6.09%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 2 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C6V8P MHG

부품 재고: 3769

전압-제너 (공칭) (Vz): 6.8V, 공차: ±5.88%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C7V5P M2G

부품 재고: 6778

전압-제너 (공칭) (Vz): 7.45V, 공차: ±6.04%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 2 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C6V8P M2G

부품 재고: 6799

전압-제너 (공칭) (Vz): 6.8V, 공차: ±5.88%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C10P MHG

부품 재고: 6768

전압-제너 (공칭) (Vz): 10V, 공차: ±6%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 7µA @ 7.5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C10P M2G

부품 재고: 6781

전압-제너 (공칭) (Vz): 10V, 공차: ±6%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 7µA @ 7.5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C8V2P RHG

부품 재고: 3684

전압-제너 (공칭) (Vz): 8.2V, 공차: ±6.09%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 2 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C9V1P RHG

부품 재고: 6848

전압-제너 (공칭) (Vz): 9.05V, 공차: ±6.07%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C7V5P RHG

부품 재고: 6805

전압-제너 (공칭) (Vz): 7.45V, 공차: ±6.04%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 2 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C6V8P RHG

부품 재고: 6846

전압-제너 (공칭) (Vz): 6.8V, 공차: ±5.88%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C9V1P RVG

부품 재고: 6764

전압-제너 (공칭) (Vz): 9.05V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C10P RHG

부품 재고: 6784

전압-제너 (공칭) (Vz): 10V, 공차: ±6%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 7µA @ 7.5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C8V2P RVG

부품 재고: 6820

전압-제너 (공칭) (Vz): 8.2V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 2 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C7V5P RVG

부품 재고: 6786

전압-제너 (공칭) (Vz): 7.45V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 2 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C6V8P RVG

부품 재고: 6801

전압-제너 (공칭) (Vz): 6.8V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C12P R3G

부품 재고: 19495

전압-제너 (공칭) (Vz): 12.05V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 7 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 3µA @ 9.1V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C3V0 RFG

부품 재고: 24312

전압-제너 (공칭) (Vz): 3V, 공차: ±5%, 전력-최대: 300mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 95 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C51P RVG

부품 재고: 24330

전압-제너 (공칭) (Vz): 51V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 60 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 39V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B6V2 RHG

부품 재고: 24336

전압-제너 (공칭) (Vz): 6.2V, 공차: ±2%, 전력-최대: 500mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 10 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 2.7µA @ 4V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B22 RHG

부품 재고: 24387

전압-제너 (공칭) (Vz): 22V, 공차: ±2%, 전력-최대: 500mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 55 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 45nA @ 15.4V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C75P RVG

부품 재고: 24336

전압-제너 (공칭) (Vz): 74.5V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 100 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 56V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C68P RVG

부품 재고: 24358

전압-제너 (공칭) (Vz): 68V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 80 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 51V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B3V3 RHG

부품 재고: 24344

전압-제너 (공칭) (Vz): 3.3V, 공차: ±2%, 전력-최대: 500mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 95 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 4.5µA @ 1V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C10P RUG

부품 재고: 5223

전압-제너 (공칭) (Vz): 10V, 공차: ±6%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 7µA @ 7.5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C6V8P MQG

부품 재고: 5209

전압-제너 (공칭) (Vz): 6.8V, 공차: ±5.88%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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