FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc), 13A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 10V, 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 600mV @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc), 18A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.6A (Tc), 9A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 600mV @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta), Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA,
