다이오드-제너-단일 | 디스크리트 반도체 제품 | 90

BZT52C6V2 RHG

부품 재고: 9907

전압-제너 (공칭) (Vz): 6.2V, 공차: ±5%, 전력-최대: 500mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 10 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 2.7µA @ 4V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B3V6 RHG

부품 재고: 9947

전압-제너 (공칭) (Vz): 3.6V, 공차: ±2%, 전력-최대: 500mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 90 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 4.5µA @ 1V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C82P RVG

부품 재고: 9941

전압-제너 (공칭) (Vz): 82V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 200 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 62V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C11P RVG

부품 재고: 16212

전압-제너 (공칭) (Vz): 11V, 공차: ±5%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 7 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 4µA @ 8.2V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C6V8S RRG

부품 재고: 16222

전압-제너 (공칭) (Vz): 6.8V, 공차: ±5%, 전력-최대: 200mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 15 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 1.8µA @ 4V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B2V4 RHG

부품 재고: 16207

전압-제너 (공칭) (Vz): 2.4V, 공차: ±2%, 전력-최대: 500mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 100 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 45µA @ 1V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B39 RHG

부품 재고: 16269

전압-제너 (공칭) (Vz): 39V, 공차: ±2%, 전력-최대: 500mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 130 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 45nA @ 27.3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C12 RHG

부품 재고: 16271

전압-제너 (공칭) (Vz): 12V, 공차: ±5%, 전력-최대: 500mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 25 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 90nA @ 8V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C15S RRG

부품 재고: 16246

전압-제너 (공칭) (Vz): 15V, 공차: ±5%, 전력-최대: 200mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 45nA @ 10.5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C20S RRG

부품 재고: 16288

전압-제너 (공칭) (Vz): 20V, 공차: ±5%, 전력-최대: 200mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 55 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 45nA @ 14V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C9V1 RHG

부품 재고: 16267

전압-제너 (공칭) (Vz): 9.1V, 공차: ±5%, 전력-최대: 500mW, 임피던스 (최대) (Zzt): 15 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 450nA @ 6V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C8V2P RUG

부품 재고: 6797

전압-제너 (공칭) (Vz): 8.2V, 공차: ±6.09%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 2 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C7V5P RUG

부품 재고: 6827

전압-제너 (공칭) (Vz): 7.45V, 공차: ±6.04%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 2 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C6V8P RUG

부품 재고: 6797

전압-제너 (공칭) (Vz): 6.8V, 공차: ±5.88%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C10P RVG

부품 재고: 6790

전압-제너 (공칭) (Vz): 10V, 공차: ±6%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 7µA @ 7.5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C9V1P RFG

부품 재고: 3763

전압-제너 (공칭) (Vz): 9.05V, 공차: ±6.07%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C9V1P R3G

부품 재고: 6845

전압-제너 (공칭) (Vz): 9.05V, 공차: ±6.07%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C8V2P R3G

부품 재고: 6798

전압-제너 (공칭) (Vz): 8.2V, 공차: ±6.09%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 2 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C8V2P RFG

부품 재고: 6783

전압-제너 (공칭) (Vz): 8.2V, 공차: ±6.09%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 2 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C7V5P R3G

부품 재고: 6811

전압-제너 (공칭) (Vz): 7.45V, 공차: ±6.04%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 2 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C7V5P RFG

부품 재고: 6808

전압-제너 (공칭) (Vz): 7.45V, 공차: ±6.04%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 2 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C6V8P RFG

부품 재고: 6813

전압-제너 (공칭) (Vz): 6.8V, 공차: ±5.88%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C6V8P R3G

부품 재고: 6825

전압-제너 (공칭) (Vz): 6.8V, 공차: ±5.88%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 3 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C10P RFG

부품 재고: 3694

전압-제너 (공칭) (Vz): 10V, 공차: ±6%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 7µA @ 7.5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C10P R3G

부품 재고: 6859

전압-제너 (공칭) (Vz): 10V, 공차: ±6%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 7µA @ 7.5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C9V1P RTG

부품 재고: 6856

전압-제너 (공칭) (Vz): 9.05V, 공차: ±6.07%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C9V1P RQG

부품 재고: 6780

전압-제너 (공칭) (Vz): 9.05V, 공차: ±6.07%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C9V1P MTG

부품 재고: 6843

전압-제너 (공칭) (Vz): 9.05V, 공차: ±6.07%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C9V1P MQG

부품 재고: 6843

전압-제너 (공칭) (Vz): 9.05V, 공차: ±6.07%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 4 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 5V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C8V2P RTG

부품 재고: 6859

전압-제너 (공칭) (Vz): 8.2V, 공차: ±6.09%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 2 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C8V2P RQG

부품 재고: 6818

전압-제너 (공칭) (Vz): 8.2V, 공차: ±6.09%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 2 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C8V2P MQG

부품 재고: 6806

전압-제너 (공칭) (Vz): 8.2V, 공차: ±6.09%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 2 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C8V2P MTG

부품 재고: 3688

전압-제너 (공칭) (Vz): 8.2V, 공차: ±6.09%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 2 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C7V5P RTG

부품 재고: 6847

전압-제너 (공칭) (Vz): 7.45V, 공차: ±6.04%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 2 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C7V5P RQG

부품 재고: 6821

전압-제너 (공칭) (Vz): 7.45V, 공차: ±6.04%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 2 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C7V5P MQG

부품 재고: 6834

전압-제너 (공칭) (Vz): 7.45V, 공차: ±6.04%, 전력-최대: 1W, 임피던스 (최대) (Zzt): 2 Ohms, 전류-역방향 누설 @ Vr: 50µA @ 3V, 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA,

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