커패시턴스 @ Vr, F: 2.11pF @ 4V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 4.1, 커패시턴스 비율 조건: C0/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 2900 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.9pF @ 2.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.5, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C2.5, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.8pF @ 4.7V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 12.3, 커패시턴스 비율 조건: C0.3/C4.7, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 3V, 50MHz,
전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.81pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 1.8, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.6pF @ 20V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.45, 커패시턴스 비율 조건: C3/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 22V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.34pF @ 20V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 2.3, 커패시턴스 비율 조건: C4/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 22V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 500 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.9pF @ 2.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.5, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C2.5, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.7pF @ 4.7V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 12, 커패시턴스 비율 조건: C0.3/C4.7, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 700 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.94pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3.3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 비율: 3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 150 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 비율: 12.3, 커패시턴스 비율 조건: C0.3/C4.7, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.83pF @ 26V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 19.5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C26, 전압-피크 역방향 (최대): 28V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3.3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.3pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3.5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.9pF @ 2.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.7, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C2.5, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
전압-피크 역방향 (최대): 22V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 21.2pF @ 1V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C9, 전압-피크 역방향 (최대): 26V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.5pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 9.8pF @ 2.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.7, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C2.5, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.78pF @ 4.7V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 10, 커패시턴스 비율 조건: C0.3/C4.7, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 1500 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.25pF @ 18V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C10, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
