트랜지스터-양극 (BJT)-RF | 디스크리트 반도체 제품 | 1

트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 4V, 주파수-전환: 16GHz, 이득: 5.2dB, 전력-최대: 250mW,

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