커패시턴스 @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 10.6pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.7pF @ 4V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3.8, 커패시턴스 비율 조건: C0/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 1680 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.1pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3.3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3.4, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 29pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4, 커패시턴스 비율 조건: C0.1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
전압-피크 역방향 (최대): 22V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 3.6pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3.4, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.7pF @ 4.7V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 12, 커패시턴스 비율 조건: C0.3/C4.7, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 700 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.8pF @ 4.7V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 12.1, 커패시턴스 비율 조건: C0.3/C4.7, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 600 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 12pF @ 4V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.5pF @ 4V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 9.8pF @ 2.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.7, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C2.5, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.4pF @ 25V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 7, 커패시턴스 비율 조건: C2/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 29V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.4pF @ 1V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.2, 커패시턴스 비율 조건: C1/C9, 전압-피크 역방향 (최대): 26V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.3pF @ 6V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 3.5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 14.8pF @ 4.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C1/C5, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode,
커패시턴스 @ Vr, F: 4.8pF @ 4.7V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 12.3, 커패시턴스 비율 조건: C0.3/C4.7, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.05pF @ 28V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 16, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C28, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 6.5pF @ 10V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.5, 커패시턴스 비율 조건: C2/C10, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 3.8pF @ 4.7V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 12.2, 커패시턴스 비율 조건: C0.3/C4.7, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.43pF @ 20V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 2.8, 커패시턴스 비율 조건: C4/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 22V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 500 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.83pF @ 26V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 19.5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C26, 전압-피크 역방향 (최대): 28V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 0.78pF @ 4.7V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 10, 커패시턴스 비율 조건: C0.3/C4.7, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 1500 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 비율: 4.2, 커패시턴스 비율 조건: C4/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 22V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 500 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 비율: 12, 커패시턴스 비율 조건: C1/C20, 전압-피크 역방향 (최대): 24V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.45pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.1, 커패시턴스 비율 조건: C0/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 3200 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.45pF @ 4V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 4.1, 커패시턴스 비율 조건: C0/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 3200 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 4.42pF @ 4V, 50MHz, 커패시턴스 비율: 4.2, 커패시턴스 비율 조건: C0/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 2400 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 12.5pF @ 2.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.7, 커패시턴스 비율 조건: C0.5/C2.5, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single,
