커패시턴스 @ Vr, F: 3.03pF @ 25V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 15, 커패시턴스 비율 조건: C2/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 34V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 9.2pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 1.87, 커패시턴스 비율 조건: C1/C3, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 1.5pF @ 10V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.8, 커패시턴스 비율 조건: C2/C10, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 9.9pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.04, 커패시턴스 비율 조건: C1/C3, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.6, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 4.1pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.7, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 10V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 6.5pF @ 10V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.75, 커패시턴스 비율 조건: C2/C10, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 5.81pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.23, 커패시턴스 비율 조건: C1/C3, 전압-피크 역방향 (최대): 12V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 2.58pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.6, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 6V, 다이오드 유형: Single,
