FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, 46A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 5.85mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A, 40A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 4.38mA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A, 1A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 1A, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA,
FET 유형: 2 P-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 1A, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 33V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 260µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A, 1.2A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 1A, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 33V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 480µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1.64mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1.11mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 310µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V, 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 50µA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 2A, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA,
FET 유형: 2 N-Channel (Dual), FET 기능: Logic Level Gate, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1µA,
FET 유형: N and P-Channel, FET 기능: Standard, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA,
