FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500µA @ 10V, 전류 드레인 (Id)-최대: 20mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 10µA,
FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 107µA @ 2V, 전류 드레인 (Id)-최대: 2mA,
FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, 전류 드레인 (Id)-최대: 30mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 10µA,
FET 유형: P-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, 전류 드레인 (Id)-최대: 20mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 10µA,
FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50µA @ 10V, 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.3V @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.4µA @ 10V, 전류 드레인 (Id)-최대: 10mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3.5V @ 1µA,
FET 유형: N-Channel, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, 전류 드레인 (Id)-최대: 20mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 10µA,
FET 유형: N-Channel, 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V, 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 10V, 전류 드레인 (Id)-최대: 30mA, 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 10µA,
