커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.8, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 1.9, 커패시턴스 비율 조건: C3/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.4, 커패시턴스 비율 조건: C3/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 450 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 4.8pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.8, 커패시턴스 비율 조건: C1/C4, 전압-피크 역방향 (최대): 15V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 42pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.8, 커패시턴스 비율 조건: C3/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 140 @ 3V, 100MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 23.78pF @ 8V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.1, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 16V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 100 @ 2V, 100MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 4.6pF @ 7V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6, 커패시턴스 비율 조건: C1/C7, 전압-피크 역방향 (최대): 16V, 다이오드 유형: Single,
커패시턴스 @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,
커패시턴스 @ Vr, F: 48.1pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 14V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 150 @ 2V, 100MHz,
