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다이오드-가변 커패시턴스 (Varicaps, Varactors)

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SVC203C-TB-E
ON Semiconductor

SVC203C-TB-E

부품 재고: 178025

커패시턴스 @ Vr, F: 13.4pF @ 9V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.6, 커패시턴스 비율 조건: C1/C9, 전압-피크 역방향 (최대): 16V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 60 @ 3V, 100MHz,

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MMBV109LT3G
ON Semiconductor

MMBV109LT3G

부품 재고: 7476

커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

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MMBV409LT1
ON Semiconductor

MMBV409LT1

부품 재고: 4762

커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 1.9, 커패시턴스 비율 조건: C3/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

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MMBV3102LT1
ON Semiconductor

MMBV3102LT1

부품 재고: 7497

커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 4.8, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

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MMBV809LT3G
ON Semiconductor

MMBV809LT3G

부품 재고: 7496

커패시턴스 @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,

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MV104G
ON Semiconductor

MV104G

부품 재고: 7467

커패시턴스 @ Vr, F: 42pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.8, 커패시턴스 비율 조건: C3/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 32V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 140 @ 3V, 100MHz,

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MMBV105GLT1G
ON Semiconductor

MMBV105GLT1G

부품 재고: 7457

커패시턴스 @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,

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MMBV2108LT1G
ON Semiconductor

MMBV2108LT1G

부품 재고: 7478

커패시턴스 @ Vr, F: 29.7pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 4V, 50MHz,

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MMBV409LT1G
ON Semiconductor

MMBV409LT1G

부품 재고: 7505

커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 1.9, 커패시턴스 비율 조건: C3/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

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MMBV2105LT1
ON Semiconductor

MMBV2105LT1

부품 재고: 7497

커패시턴스 @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,

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MV209G
ON Semiconductor

MV209G

부품 재고: 7434

커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

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SVC236-TB-E
ON Semiconductor

SVC236-TB-E

부품 재고: 172795

커패시턴스 @ Vr, F: 16.84pF @ 6.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6.5, 전압-피크 역방향 (최대): 16V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 70 @ 3V, 100MHz,

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MMBV105GLT1
ON Semiconductor

MMBV105GLT1

부품 재고: 7466

커패시턴스 @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,

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MV2105
ON Semiconductor

MV2105

부품 재고: 4830

커패시턴스 @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,

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SVC230-TB-E
ON Semiconductor

SVC230-TB-E

부품 재고: 129142

커패시턴스 @ Vr, F: 28.2pF @ 8V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 1.75, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 16V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 100MHz,

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MV2101
ON Semiconductor

MV2101

부품 재고: 7532

커패시턴스 @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

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MMVL109T1G
ON Semiconductor

MMVL109T1G

부품 재고: 7529

커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

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MMBV2105LT1G
ON Semiconductor

MMBV2105LT1G

부품 재고: 7480

커패시턴스 @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,

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MMVL809T1G
ON Semiconductor

MMVL809T1G

부품 재고: 7476

커패시턴스 @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,

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MMBV2108LT1
ON Semiconductor

MMBV2108LT1

부품 재고: 7527

커패시턴스 @ Vr, F: 29.7pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 4V, 50MHz,

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SVC270-TL-E
ON Semiconductor

SVC270-TL-E

부품 재고: 119447

커패시턴스 @ Vr, F: 28.2pF @ 8V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 1.75, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 16V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 100MHz,

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SVC272-TL-E
ON Semiconductor

SVC272-TL-E

부품 재고: 157486

커패시턴스 @ Vr, F: 18.55pF @ 8V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.3, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 16V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 150 @ 2V, 100MHz,

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SVC383T-TL-E
ON Semiconductor

SVC383T-TL-E

부품 재고: 7528

커패시턴스 @ Vr, F: 27pF @ 6.5V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 24.5, 커패시턴스 비율 조건: C1/C6.5, 전압-피크 역방향 (최대): 33V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 200 @ 1V, 1MHz,

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MMBV109LT1G
ON Semiconductor

MMBV109LT1G

부품 재고: 7474

커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

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MMBV2109LT1
ON Semiconductor

MMBV2109LT1

부품 재고: 7496

커패시턴스 @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

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MMBV609LT1
ON Semiconductor

MMBV609LT1

부품 재고: 7446

커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.4, 커패시턴스 비율 조건: C3/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 450 @ 3V, 50MHz,

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MMBV432LT1
ON Semiconductor

MMBV432LT1

부품 재고: 7461

커패시턴스 @ Vr, F: 48.1pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 14V, 다이오드 유형: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 150 @ 2V, 100MHz,

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MMBV2109LT1G
ON Semiconductor

MMBV2109LT1G

부품 재고: 7468

커패시턴스 @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

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MV2109G
ON Semiconductor

MV2109G

부품 재고: 7495

커패시턴스 @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

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MMVL2101T1G
ON Semiconductor

MMVL2101T1G

부품 재고: 7502

커패시턴스 @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

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MMBV2101LT1G
ON Semiconductor

MMBV2101LT1G

부품 재고: 7426

커패시턴스 @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

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MMBV2107LT1
ON Semiconductor

MMBV2107LT1

부품 재고: 4758

커패시턴스 @ Vr, F: 24.2pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 4V, 50MHz,

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MMBV109LT3
ON Semiconductor

MMBV109LT3

부품 재고: 7449

커패시턴스 @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 6.5, 커패시턴스 비율 조건: C3/C25, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

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MV2109RLRAG
ON Semiconductor

MV2109RLRAG

부품 재고: 7459

커패시턴스 @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

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MMBV809LT1
ON Semiconductor

MMBV809LT1

부품 재고: 7482

커패시턴스 @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 2.6, 커패시턴스 비율 조건: C2/C8, 전압-피크 역방향 (최대): 20V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,

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MMBV2107LT1G
ON Semiconductor

MMBV2107LT1G

부품 재고: 7528

커패시턴스 @ Vr, F: 24.2pF @ 4V, 1MHz, 커패시턴스 비율: 3.2, 커패시턴스 비율 조건: C2/C30, 전압-피크 역방향 (최대): 30V, 다이오드 유형: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 4V, 50MHz,

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