트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 20V, 주파수-전환: 1.4GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz, 이득: 20dB ~ 23dB, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 20V, 주파수-전환: 600MHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, 전력-최대: 250mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V, 주파수-전환: 800MHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, 이득: 24dB, 전력-최대: 350mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 25V, 주파수-전환: 650MHz, 전력-최대: 225mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 주파수-전환: 600MHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 2dB @ 200MHz, 이득: 20dB ~ 23dB, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 20V, 주파수-전환: 600MHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz, 이득: 18dB ~ 22dB, 전력-최대: 250mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 2GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, 이득: 15dB, 전력-최대: 350mW,