트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 3.5V, 주파수-전환: 24GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, 이득: 17dB, 전력-최대: 50mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 10V, 주파수-전환: 8GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.5GHz, 이득: 10dB @ 1.5GHz, 전력-최대: 150mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 6.7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, 이득: 11dB, 전력-최대: 800mW,
트랜지스터 유형: PNP, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 20V, 주파수-전환: 600MHz, 전력-최대: 225mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 8V, 주파수-전환: 16GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, 이득: 13.5dB, 전력-최대: 700mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 10GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, 이득: 14dB @ 1GHz, 전력-최대: 700mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 2GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, 이득: 15dB, 전력-최대: 350mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 40V, 주파수-전환: 450MHz, 전력-최대: 225mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 3.5V, 주파수-전환: 22.5GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, 이득: 16dB, 전력-최대: 50mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, 이득: 9dB, 전력-최대: 800mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V, 주파수-전환: 800MHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, 이득: 24dB, 전력-최대: 350mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 10GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, 이득: 18dB, 전력-최대: 350mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 25V, 주파수-전환: 800MHz, 전력-최대: 225mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 10GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, 이득: 17dB, 전력-최대: 450mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 3.5V, 주파수-전환: 26GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB @ 2GHz, 이득: 15dB, 전력-최대: 120mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V, 주파수-전환: 600MHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, 이득: 15dB, 전력-최대: 225mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 25V, 주파수-전환: 650MHz, 전력-최대: 225mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 30V, 주파수-전환: 400MHz, 전력-최대: 225mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V, 주파수-전환: 1.5GHz, 이득: 14dB ~ 26dB, 전력-최대: 350mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 20V, 주파수-전환: 150MHz, 전력-최대: 200mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 25V, 주파수-전환: 650MHz, 전력-최대: 265mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 12V, 주파수-전환: 8GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, 이득: 12dB, 전력-최대: 350mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 25V, 주파수-전환: 650MHz, 전력-최대: 350mW,
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual), 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 10V, 주파수-전환: 7GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, 이득: 12dB, 전력-최대: 500mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 8V, 주파수-전환: 16GHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, 이득: 17.5dB, 전력-최대: 400mW,
트랜지스터 유형: NPN, 전압-콜렉터 이미 터 고장 (최대): 15V, 주파수-전환: 600MHz, 잡음 지수 (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, 이득: 15dB, 전력-최대: 350mW,
