스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 100kHz ~ 150kHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 1.76kb (User), 기준: ISO 11784, ISO 11785,
회수: 125kHz, 메모리 유형: Read/Write,
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 100kHz ~ 150kHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 2kb (User), 기준: ISO 11784, ISO 11785,
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 125kHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 256b (User), 기준: ISO 11784, ISO 11785,
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 100kHz ~ 150kHz, 메모리 유형: Read/Write,
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 125kHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 128kb (User),
스타일: Encapsulated, 과학 기술: Passive, 회수: 100kHz ~ 150kHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 256b (User), 기준: ISO 11784, ISO 11785,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 840MHz ~ 960MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 256b (EPC), 기준: EPC,
스타일: Inlay, 과학 기술: Passive, 회수: 13.56MHz, 메모리 유형: Read/Write, 쓰기 가능한 메모리: 1kB (User), 기준: ISO 15693,