트랜지스터-FET, MOSFET-단일

APT7F120B

부품 재고: 9338

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9 Ohm @ 3A, 10V,

APT10090BLLG

부품 재고: 3787

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 6A, 10V,

APT29F100B2

부품 재고: 3359

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 16A, 10V,

APT8020JLL

부품 재고: 1917

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 16.5A, 10V,

APTM100UM65SAG

부품 재고: 414

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 145A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 72.5A, 10V,

APT8M100B

부품 재고: 10958

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 4A, 10V,

APT77N60JC3

부품 재고: 2033

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 77A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 60A, 10V,

APT42F50B

부품 재고: 5480

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 42A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 21A, 10V,

APT50M65JFLL

부품 재고: 1737

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 29A, 10V,

APT5010JVRU2

부품 재고: 2081

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 22A, 10V,

APT1204R7BFLLG

부품 재고: 5881

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 1.75A, 10V,

APT60N60BCSG

부품 재고: 3141

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V,

APT5SM170S

부품 재고: 2313

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2A, 20V,

APT5SM170B

부품 재고: 2239

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 2.5A, 20V,

APT35SM70S

부품 재고: 2305

과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A,

APT130SM70J

부품 재고: 2271

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 60A, 20V,

APT130SM70B

부품 재고: 2237

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: SiCFET (Silicon Carbide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 60A, 20V,

APT60M75L2FLLG

부품 재고: 1751

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 36.5A, 10V,

APT4016BVRG

부품 재고: 6274

APT5014B2VRG

부품 재고: 6218

APT4012BVR

부품 재고: 2171

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V,

APT10M11JVR

부품 재고: 2201

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 144A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V,

APT58MJ50J

부품 재고: 2236

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

APT10M07JVR

부품 재고: 2161

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 225A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V,

APT8075BN

부품 재고: 2223

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 6.5A, 10V,

APT6040BNG

부품 재고: 2165

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 9A, 10V,

APT6040BN

부품 재고: 2226

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 9A, 10V,

APT5025BN

부품 재고: 6264

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 11.5A, 10V,

APT6030BN

부품 재고: 2196

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 11.5A, 10V,

APT5022BNG

부품 재고: 2234

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 13.5A, 10V,

APT5020BNFR

부품 재고: 2155

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 14A, 10V,

APT5012JN

부품 재고: 2168

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 21.5A, 10V,

APT5020BN

부품 재고: 2225

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 14A, 10V,

APT40M42JN

부품 재고: 2165

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 86A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 43A, 10V,

APT40M75JN

부품 재고: 2167

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 56A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 28A, 10V,

APT4065BNG

부품 재고: 2197

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5.5A, 10V,