유형 | 기술 |
부품 상태 | Obsolete |
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FET 유형 | N-Channel |
과학 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 1700V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5A (Tc) |
구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.25 Ohm @ 2.5A, 20V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 3.2V @ 500µA |
게이트 요금 (Qg) (최대) @ Vgs | 21nC @ 20V |
Vgs (최대) | +25V, -10V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 249pF @ 1000V |
FET 기능 | - |
전력 손실 (최대) | 65W (Tc) |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
장착 유형 | Through Hole |
공급 업체 장치 패키지 | TO-247-3 |
패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
RoHS 현황 | RoHS 준수 |
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습기 감도 수준 (MSL) | 해당 사항 없음 |
라이프 사이클 상태 | 쓸모없는 / 삶의 끝 |
재고 범주 | 사용 가능 재고 |