트랜지스터-FET, MOSFET-단일

IXFK72N20

부품 재고: 2206

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 36A, 10V,

IXFX30N50

부품 재고: 2220

IXFE180N20

부품 재고: 1995

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 158A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFM15N60

부품 재고: 6303

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 7.5A, 10V,

IXFD40N30Q-72

부품 재고: 2265

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V,

IXTM1316

부품 재고: 2351

IXTH21N50Q

부품 재고: 2247

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10.5A, 10V,

IXFX80N15Q

부품 재고: 2236

IXFH32N48Q

부품 재고: 2208

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 480V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 15A, 10V,

IXTM11P50

부품 재고: 2327

IXFT40N30Q TR

부품 재고: 6309

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 20A, 10V,

IXTM21N50L

부품 재고: 2302

IXTM15N60

부품 재고: 2333

IXFM11N80

부품 재고: 2336

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 5.5A, 10V,

IXFN30N110P

부품 재고: 1890

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 15A, 10V,

IXFD15N100-8X

부품 재고: 2189

IXTM1630

부품 재고: 2322

IXFJ15N100Q

부품 재고: 2221

IXFH1837

부품 재고: 2271

IXTY1R4N60P TRL

부품 재고: 2308

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 700mA, 10V,

IXTM50N20

부품 재고: 2338

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 25A, 10V,

IXTD4N80P-3J

부품 재고: 2322

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 1.8A, 10V,

T-TD1R4N60P 11

부품 재고: 2368

IXFN34N100

부품 재고: 1652

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFM1766

부품 재고: 2282

IXTM24N50L

부품 재고: 2307

IXTK40P50P

부품 재고: 4122

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 20A, 10V,

IXFN72N55Q2

부품 재고: 1985

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 550V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 500mA, 10V,

IXTP76P10T

부품 재고: 13460

FET 유형: P-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFT74N20Q

부품 재고: 2228

IXFH14N100Q

부품 재고: 2253

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 7A, 10V,

IXFB30N120Q2

부품 재고: 1609

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc),

IXFD80N10Q-8XQ

부품 재고: 2255

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V,

IXFN80N48

부품 재고: 1727

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 480V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 500mA, 10V,

IXFM1627

부품 재고: 2371

IXTM5N100

부품 재고: 2291

FET 유형: N-Channel, 과학 기술: MOSFET (Metal Oxide), 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V, 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc), 구동 전압 (최대 Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 2.5A, 10V,